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發表于：2024/07/31 19:04:41
中新社香港7月30日電 (記者 劉大煒)香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司30日簽署合作協議，將于香港科學園內設立全香港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，并于創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線。
氮化鎵(GaN)是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料，可在高溫和高電壓下進行長時間運作。此次在港設立的研發中心，將聚焦開發8寸氮化鎵外延片工藝及設備平臺，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。相關中試線將耗資2億港元，設立投產后，會進行氮化鎵外延片的小批量生產。
香港特區政府創新科技及工業局局長孫東在當天活動上致辭指出，香港要因地制宜發展新質生產力，須發揮好香港的國際化優勢和雄厚的科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，能夠優化產品性能，提升穩定性，為行業帶來革命性突破。
孫東提到，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將于年內成立，并設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。
香港科技園公司行政總裁黃克強也表示，此次合作將成為香港微電子產業及新型工業化發展的重要里程碑，帶動整個第三代半導體產業鏈布局，香港微電子創科生態會更為蓬勃。(完)